运行速度超过美1000倍,国产芯片终于弯道超车,即将大批投入生产

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  • 来源:万财影视

时光会走远,影像会长存,所走的每一步都有迹可循。

众所周知,近年来我国正加快推进半导体的国产化进程,尤其是在民用半导体方面。值得一提的是,在芯片设计领域,中国个别企业获得重大突破,还与众多海外巨头在芯片制造方面有着密切往来,未来或将带来我们更多惊喜。

关于芯片设计,有人说:如果把芯片比作一栋房子,晶体管就是建房的“砖瓦”。多年来,晶体管一直以硅为材料,由此制成的硅基芯片技术更新遵循摩尔定律,半导体产业专注于用不断缩小晶体管尺寸的办法提升芯片性能。目前,传统硅基晶体管性能提升已接近其物理极限,为此科学家一直试图寻找能够替代硅的芯片材料。

在科学家夜以继日的努力下,中国科学家成功研制出一种名为“新型垂直纳米环栅晶体管技术”,有望用于半导体芯片的制造当中。据说,有了这项技术之后,芯片的运行速度将会比美国高通已有产品快1000倍,自此国产芯片终于弯道超车,不再受限于人!此外,新型垂直纳米环栅晶体管技术已经比较成熟,即将大批量投入生产,到那时将是一次历史性时刻!

事实上,目前最为先进的芯片制造技术为7nm+Euv工艺制程,比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片,内置了超过100亿个晶体管。据了解,麒麟990首次将将5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技术上的确实现了巨大突破,也是国产芯片里程碑式的意义。而继华为之后,中科院研发出了2nm及以下工艺所需要的新型晶体管——叠层垂直纳米环栅晶体管,再次打破中国芯片的以往成绩,实现又一伟大突破。

据悉,早在2016年官方就开始针对此类技术开展相关研究,其中的艰辛只有他们自己懂得,好在多年努力没有白费,中科院斩获全球第一,研发出世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管,并获得多项中外专利授权,对于推动国产芯片技术的发展具有重大作用与意义。另外,这种新型晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选,也就是说此项技术成熟后,国产2nm芯片有望成功“破冰”,意义重大。

不得不说,近年来我国一直致力于芯片研究,力求研制出属于自己的芯片技术,在国内诸多芯片科技公司中,中芯国际的势头一直很猛。它作为国内技术最先进的芯片代工厂之一,不但有自研芯片能力,也已经具备先进14nm代工技术,目前改良版的12nm工艺也正在导入之中。

总而言之,经过多年的不懈努力,如今中国的芯片制造逐渐走上了正轨,正在一步步突破每一个技术难题,新型垂直纳米环栅晶体管技术就是一大突破,让中国芯片弯道超车,凭实力超过很多国家。不过,中国芯片要想走在国际前列,还需要更多的努力,让我们拭目以待吧!



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